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SUP90N06-6M0P-E3  与  IPP040N06N3 G  区别

型号 SUP90N06-6M0P-E3 IPP040N06N3 G
唯样编号 A-SUP90N06-6M0P-E3 A-IPP040N06N3 G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ 3.3mΩ
上升时间 - 70ns
Qg-栅极电荷 - 98nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 53A 90A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),272W(Tc) 188W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 TrenchFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 30ns
库存与单价
库存 27 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUP90N06-6M0P-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.75W(Ta),272W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 60V 53A 5mΩ

暂无价格 27 当前型号
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 13,950 对比
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRFB7545PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.9mΩ@57A,10V N-Channel 60V 95A TO-220

暂无价格 0 对比
IRFB7546PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.3mΩ@45A,10V N-Channel 60V 75A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP040N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 90A 3.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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